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量子隧穿效应解释？量子穿隧效应或量子隧道效应（Quantum tunnelling effect）为一种量子特性，是如电子等微观粒子能够穿过它们本来无法通过的“墙壁”的现象。这是因为根据量子力学，微观粒子具有波的性质，而有不为零的机率穿过势障壁。
隧道效应的例子
α衰变就是因为α粒子摆脱了本来不可能摆脱的强力的束缚而“逃出”原子核。 扫描隧道显微镜（scanning tunneling microscope）是量子穿隧效应的主要应用之一。扫描隧道显微镜可以克服普通光学显微镜像差（aberration）的限制，通过穿遂电子扫描物体表面，从而辨别大大小于光波长的物体。
宏观物体的隧道效应
理论上，宏观物体也能发生隧道效应。人也有可能穿过墙壁，但要求组成这个人的所有微观粒子都同时穿过墙壁，其实际上几乎是零，以至于人类历史以来还没有成功的纪录。
量子隧穿是什么原因？量子隧穿效应的原因是量子力学中的波动性和能量本征态的概念。需要注意的是,量子隧穿效应是一个概率事件,它只发生在微观粒子身上,而且需要在一定的条件下才能发生。
芯片3nm以内量子隧穿效应怎样解决？芯片制造技术的发展已经到了极限，目前的制造技术已经接近于物理极限。在3纳米以下的芯片制造中，量子隧穿效应成为了一个非常严重的问题。量子隧穿效应是指在微小的空间范围内，电子会越过势垒，从而导致电子泄露和电路失效。
为了解决这个问题，芯片制造商采取了一系列措施。其中一个方法是采用新材料来替代传统的硅材料，例如碳纳米管、石墨烯等。这些新材料的电子特性更好，能够抑制量子隧穿效应。
另外，制造商还采用了一些新的制造工艺，例如多层金属互连、三维堆叠等，以提高芯片的性能和稳定性。此外，还有一些新的设计方法，例如量子点、量子阱等，可以有效地抑制量子隧穿效应。
总之，在3纳米以下的芯片制造中，制造商将采取多种措施，包括新材料、新工艺和新设计方法，以解决量子隧穿效应带来的问题。
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